技術資料・データ
第7世代「X シリーズ」RC-IGBT モジュール “Small-2B”
資料概要

【富士電機技報 Vol.91 No.04 (2018) 】 【高崎 愛子 ・ 山野 彰生 ・ 市川 裕章】 近年,エネルギー資源の枯渇や地球温暖化の問題を解決するために,電気エネルギーを効率的に利用するパワーエレクトロニクス技術への期待が高まっている。中でも,産業,民生,自動車,再生可能エネルギーなどの幅広い分野で用いられる電力変換装置の主要部品である IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールの需要が拡大している。この IGBT モジュールに対して低損失化と高信頼性化が強く求められている。さらに,装置を小型化するため,従来と同一パッケージサイズのまま出力電流を拡大する要求も強い。しかし,IGBT モジュールの出力電流を増加させると,IGBT と FWD (Free Wheeling Diode)の動作温度が上昇し,信頼性の低下を引き起こす恐れがある。そのため,高出力と高信頼性を両立させるための技術革新が必要不可欠である。 富士電機は,第7世代「X シリーズ」の半導体チップとパッケージを開発し,高信頼性の IGBT モジュールを製品化している。この X シリーズにおいて新たに RC -IGBT (Reverse - Conducting IGBT:逆導通 IGBT)を開発した。
- 資料No.
- FEJ-2018-S04
- 発行年月
- 2018年10月
製品仕様
- 製品取り扱い区分
- 現行品
- 製品の対象国・地域
-
- 日本
カテゴリ
資料カテゴリ
製品カテゴリ
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