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コンビナトリアル成膜による誘電体薄膜材料の高速合成

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資料概要

コンビナトリアル成膜による誘電体薄膜材料の高速合成

【富士時報 Vol.77 No.2 p.112(2004)】 【米澤 喜幸,小西 義則,清水 了典】 薄膜キャパシタなど,酸化物薄膜デバイス応用を念頭におきながら,誘電体薄膜の高性能化の研究を進めている。キャパシタ応用を考えた場合,目標値は非鉛系材料で高比誘電率(>1\,200)と,高耐圧(>1 MV/cm)を両立させなくてはならない。現在,富士電機では,従来の非鉛系材料の高誘電率化とともに新規誘電体材料SnTiO<sub>3</sub>,電荷移動型誘電体などの開発を行っているが,このような材料探索には材料合成のみならず,その評価も合わせて大きな労力と時間がかかる。これを解決する方法として,20 年を3 か月に短縮するといわれる,コンビナトリアル成膜法を利用した超高速材料スクリーニング技術が提唱されている。本稿ではコンビナトリアル成膜法の概要と富士電機における導入および応用について述べる。

資料No.
FEJ-77-02-112-2004
発行年月
2004年3月

製品仕様

製品取り扱い区分
現行品
製品の対象国・地域
  • 日本

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